[WHY? HBM시장에서의 경쟁 우위를 이어가기 위해 SK하이닉스가 속도를 내고 있다.]

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM 5세대 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과이다.

SK하이닉스는 "당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다"며 "HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어가겠다"고 밝혔다.

다량의 데이터를 빠르게 처리하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. SK하이닉스는 "HBM3E는 이와 관련한 현존 최적의 제품이 될 것"이라고 자신감을 내비쳤다.

HBM3E는 초당 최대 1.18TB의 데이터를 처리한다. 이는 풀HD급 영화(5GB) 230편 분량을 1초 만에 처리하는 수준이다.

또 AI 메모리는 빠른 속도로 작동하는 만큼 효과적인 발열 관리가 관건이다. SK하이닉스는 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.

HBM High Bandwidth Memory, 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품.

MR-MUF 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정.

/ 포춘코리아 이세연 기자 mvdirector@fortunekorea.co.kr