[WHY? AI의 발전과 함께 HBM도 동반 성장할 필요성이 높아지고 있다.]

"향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC 형태나 고객의 제품에 최적화한 온 디바이스(On Device) 형태로 확대될 것이다. HBM뿐 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것이다"

권언오 SK하이닉스 HBM PI 담당 부사장은 28일 공개된 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 차세대 HBM 기술 개발 비전과 AI 시대에 대비한 전략에 대해 이같이 말했다.

권 부사장은 2024 임원 인사에서 SK하이닉스가 신설한 'AI Infra' 조직 산하에 HBM PI담당 신임임원으로 선임됐다.

권 부사장은 D램 개발 연구위원이었던 2022년, 모바일용 D램에 HKMG 공정을 도입한 LPDDR을 개발했다. 또 초고속·초저전력 특성을 동시 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 지난해에는 공로를 인정받아 지난해 'SUPEX 추구상'을 수상했다. 이는 SK그룹 내 가장 권위 있는 상으로, 새로운 도전을 두려워하지 않고 혁신을 이뤄낸 구성원들에게 수여된다.

올해 권 부사장은 기술 역량을 바탕으로 SK하이닉스 HBM의 기술 로드맵을 완성하는 중책을 맡았다. 그는 "HBM은 어렵고 복잡한 선행 기술 제품으로, 가장 기술집약적인 D램이라 할 수 있다"며 "시스템 반도체에서 메모리 반도체로의 도전을 감행하게 된 계기도 바로 HBM 때문"이라고 말했다.

이어 "오랫동안 이어져온 미세화(Tech Scaling) 기반 성능 개선을 넘어, 시스템 반도체와 메모리 반도체의 구조와 소자, 공정이 융합하며 기술이 발전하는 시대가 올 것이라 예상했다. 또 메모리 반도체가 주도하는 혁신의 시작이 HBM이라 확신했다. 제가 쌓아온 경험이 SK하이닉스의 HBM 기술력에 더 큰 시너지를 만들 수 있도록 최선을 다하겠다"고 덧붙였다.

권 부사장은 향후 HBM 시장은 고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것이라 내다봤다. 또 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함과 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량을 갖춰 메모리 이상의 역할을 해야 한다고 강조했다.

ASIC Application Specific Integrated Circuit, 특정 목적을 위해 설계된 집적 회로. 주문형 반도체라고도 한다.

HKMG High-K Metal Gate, 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

/ 포춘코리아 이세연 기자 mvdirector@fortunekorea.co.kr